基礎からの 半導体工学・目次

　第１章　半導体結晶　（１０ページ）

１・１　半導体とは
１・２　シリコン結晶
　１・２・１　結晶構造と結晶面および面方位の表し方
１・３　導電率制御
演習問題１

　　第２章　エネルギー帯図　（１０ページ）

２・１　エネルギー準位
　２・１・１　電子のエネルギー準位
　２・１・２　シリコン原子のエネルギー準位と電子配置
２・２　エネルギー帯の形成
　２・２・１　真性半導体のエネルギー帯図
　２・２・２　不純物半導体のエネルギー帯図
演習問題２

　第３章　半導体のキャリヤ　（２０ページ）

３・１　キャリヤ半導体とフェルミ準位
　３・１・１　真性半導体のキャリア密度とフェルミ準位
　３・１・２　不純物半導体のキャリア密度とフェルミ準位
３・２　半導体の電気伝導
　３・２・１　ドリフト電流
　３・２・２　拡散電流
　３・２・３　電流密度の式
　３・２・４　キャリア連続の式
演習問題３

　第４章　ｐｎ 接合と ｐｎ 接合ダイオード 　（１７ページ）

４・１　ｐｎ 接合とは
４・２　ｐｎ 接合ダイオードの電流−電圧特性
４・３　ｐｎ 接合ダイオードの降伏現象
　４・３・１　電子雪崩降伏
　４・３・２　ツェナー降伏
４・４　ダイオードの接合容量
　４・４・１　空乏層容量
　４・４・２　拡散容量
４・５　少数キャリア蓄積効果
演習問題４

　第５章　金属と半導体の接触　（１５ページ）

５・１　金属−半導体のエネルギー帯図
　５・１・１　ｎ 形半導体と金属との接触
　５・１・２　ｐ 形半導体と金属との接触
５・２　ショットキー接触の電流−電圧特性
５・３　ショットキー接触の容量−電圧特性
５・４　オーミック接触の形成法
演習問題５

　第６章　バイポーラトランジスタ　（１２ページ）

６・１　バイポーラトランジスタの構造
６・２　動作原理
６・３　電流増幅率
　６・３・１　ベース接合の場合
　６・３・２　エミッタ接地の場合
演習問題６

　第７章　ＭＯＳ 電界効果トランジスタ　（１４ページ）

７・１　ＭＯＳ 構造の表面現象と特性
　７・１・１　反転状態と しきい電圧
　７・１・２　ＭＯＳ ダイオードの容量
７・２　ＭＯＳ トランジスタの構造と動作
７・３　ＣＭＯＳ デバイス
７・４　集積回路とシステム ＬＳＩ の概要
演習問題７

　第８章　無転位シリコン単結晶の成長とプロセス誘起結晶欠陥　（７ページ）

８・１　成長起因微小欠陥
８・２　プロセス誘起結晶欠陥
　８・２・１　熱応力転位
　８・２・２　酸化誘起積層欠陥
８・３　ゲッタリング技術
演習問題８

　第９章　クリーン化・プロセス　　（４ページ）
９・１　ウエーハ表面のクリーン化の重要性
９・２　ウエーハ洗浄
９・３　スーパークリーンルームから
　　　　　ミニエンバイロンメント（局所クリーン化）へ
演習問題９

　演習問題の解答　（２３ページ）

　参考文献

　付　録

　索　引